Объем 1 Tb | Интерфейс M.2 (PCI-E) | Форм-фактор M.2 (2280) | Скорость записи 6300 Mb/s, Чтения 7250 Mb/s | Тип флеш-памяти Samsung V-NAND TLC
Основные характеристики | |
---|---|
Производитель | Samsung |
Серия | 990 EVO Plus |
Объем | 1000 Gb |
Форм-фактор | M.2 (2280) |
Интерфейс | M.2 (PCI-E) |
Описание интерфейса | PCIe Gen 4.0 NVMe™ x 4 Lanes / 5.0 NVMe™ x 2 Lanes |
Быстродействие | |
Максимальная скорость чтения | 7250 Mb/s |
Максимальная скорость записи | 6300 Mb/s |
Дополнительные характеристики | |
Среднее время безотказной работы (MTBF) | 1.5 млн./ч. (MTBF) |
Тип флеш-памяти NAND | Samsung V-NAND TLC |
Размеры | 80.15 х 22.15 х 2.38 мм |
Вес | 9 г |
Описание | ➣ Поддерживает новейшие интерфейсы PCIe 4.0 x4 и PCIe 5.0 x2, обеспечивая гибкость для текущих и будущих вычислений. ➣ Скорость последовательного чтения до 7250 МБ/с для удовлетворения потребностей бизнеса и творчества. ➣ Доступны различные варианты емкости до 4 ТБ. ➣ Энергоэффективная конструкция уменьшает нагрузку на батарею вашего ПК. ➣ Интеллектуальная терморегулировка обеспечивает стабильную и надежную работу. |
Товар на сайте производителя | Посмотреть |
Гарантия и сервис | |
Гарантия | 1 месяц |