Объем 1 Tb | Интерфейс SATA rev. 3.0 | Форм-фактор 2.5" дюйма | Скорость записи 530 Mb/s, Чтения 560 Mb/s | Тип флеш-памяти Samsung V-NAND 4bit MLC
Основные характеристики | |
---|---|
Производитель | Samsung |
Серия | 870 QVO |
Объем | 1000 Gb |
Форм-фактор | 2.5" дюйма |
Интерфейс | SATA |
Быстродействие | |
Максимальная скорость чтения | 560 Mb/s |
Максимальная скорость записи | 530 Mb/s |
Гарантия и сервис | |
Гарантия | 36 месяцев |
Дополнительные характеристики | |
Среднее время безотказной работы (MTBF) | 1.5 млн./ч. (MTBF) |
Тип флеш-памяти NAND | Samsung V-NAND 4bit MLC |
Размеры | 100 x 69.85 x 6.8 мм |
Вес | 46 г |
Описание | Благодаря предельно высокой скорости последовательного чтения для SATA интерфейса (560/530 MБ/с), накопитель и 870 QVO отличаются также увеличенной скоростью случайного чтения/записи по сравнению с накопителями предыдущего поколения 860 QVO Интеллектуальная технология записи Intelligent TurboWrite с увеличенным объемом изменяемого буфера позволяет повысить скорость записи и стабильность высоких рабочих характеристик |
Товар на сайте производителя | Посмотреть |