В компании Samsung Electronics анонсировали выход в свет уже третьего поколения высокопроизводительных твердотельных NVMe-накопителей. Первыми устройствами станут модели 970 Pro и 970 Evo, выполненные в форм-факторе M.2 2280 с интерфейсом PCIe Gen.3x4 и поддержкой протокола NVMe.
В схемотехнике новинок применена фирменная высоконадежная элементная база и компоненты: контроллер Phoenix и флэш-память, выполненная по 64-слойной технологии.
В модели 970 PRO используются 2-битные чипы V-NAND MLC, общий объем которых составляет 512 ГБ или 1 ТБ, при объеме кэш-памяти 512 МБ или 1 ГБ соответственно. Благодаря использованию технологического решения Intelligent TurboWrite размер буфера может увеличиваться до 78 ГБ, что существенно повышает производительность записи.
Для представителей серии 970 EVO характерны уже 3-битных чипы V-NAND MLC. Они будут доступны в четырех версиях: на 250 и 500 ГБ, а также на 1 или 2 ТБ. Для первых двух вариантов объем кэш-памяти составляет 512 МБ, а для последних - 1 или 2 ГБ соответственно.
Для большей наглядности все технические параметры сведены в обобщающую таблицу.
В обеих версиях накопителей реализована поддержка шифрования данных по современным протоколам AES 256, IEEE1667 и TCG/Opal v 2.0. Для поддержания необходимого температурного режима накопители оборудованы радиаторами, а для предотвращения перегрева используется технология Dynamic Thermal Guard. Еще одной приятной особенностью станет пятилетняя гарантия, а старт продаж 970 Pro и 970 Evo намечен на 7 мая.