Объем 512 Gb | Интерфейс M.2 (PCI-E) | Форм-фактор M.2 (2280) | Скорость записи: 2000 Mb/s, Чтения 3200 Mb/s | Тип флеш-памяти 3D TLC
Основные характеристики | |
---|---|
Производитель | GOODRAM |
Серия | IRDM |
Объем | 512 Gb |
Форм-фактор | M.2 (2280) |
Интерфейс | M.2 (PCI-E) |
Описание интерфейса | PCIe Gen 3.0 NVMe™ x 4 Lanes |
Быстродействие | |
Максимальная скорость чтения | 3200 Mb/s |
Максимальная скорость записи | 2000 Mb/s |
Дополнительные характеристики | |
Среднее время безотказной работы (MTBF) | 1.8 млн./ч. (MTBF) |
Тип флеш-памяти NAND | 3D TLC |
Размеры | 80 x 22 х 3 мм |
Вес | 6 г |
Комплект поставки | SSD накопитель |
Описание | GOODRAM IRDMM.2 обеспечивает в шесть раз более высокую производительность для последовательной и случайной передачи данных по сравнению с SSD SATA III. Отличается уменьшенным временем задержки при обращении к памяти по сравнению с дисками, изготовленными по стандарту AHCI. Твердотельный накопитель GOODRAM IRDM M.2 значительно улучшает производительность компьютера. |
Товар на сайте производителя | Посмотреть |
Гарантия и сервис | |
Гарантия | 36 месяцев |